Японская компания Elpida Memory, являющаяся одним из ведущих поставщиков памяти типа DRAM (Dynamic Random Access Memory), объявила об успешном завершении разработки новой версии 65 нм памяти DDR3 SDRAM с плотностью 1 Гбит. Новые 65 нм чипы памяти версии XS подверглись дополнительной оптимизации, что дало возможность значительно уменьшить их размеры.
Такая “усушка” позволила Elpida разместить на стандартной 300 мм кремниевой пластине на 25 процентов больше 65 нм чипов по сравнению с предыдущей версией. При этом новая 65 нм память DDR3 SDRAM в версии XS вполне конкурентоспособна в плане стоимости со своим более “тонким” 50 нм аналогом.
Отметим, что это уже вторая попытка Elpida оптимизировать свой 65 нм технологический процесс. Предыдущая была предпринята в прошлом году, когда появилась S версия таких микросхем. Сообщается, что новая 65 нм память DDR3 SDRAM с плотностью 1 Гбит в версии XS предназначена для использования в настольных компьютерах и серверных системах, а ее массовое производство должно стартовать в первом квартале 2010 года.
Источник: Ferra
|
