Компания Samsung, известная, среди прочего, как один из лидеров в сфере производства модулей оперативной памяти, наконец, представила прототип планки формата DDR3, выполненной по технологическому процессу 30 нм. Модули памяти нового поколения имеют объем 2 гигабита и потребляют на 30% меньше мощности, нежели их старшие собратья, произведенные по технологии 50нм.
Рабочее напряжение данных компонентов составляет 1,5 и 1,35 вольт, запуск их массового производства ожидается во второй половине 2010 года. Как утверждает производитель, одним из преимуществ новых DRAM-модулей является их более низкая стоимость. Производство модулей оперативной памяти превышает по своим объемам производство всех остальных компьютерных чипов, а требования, предъявляемые к скорости их работы, оказываются, вероятно, самыми строгими во всей индустрии: скорость чтения и записи данных здесь должна быть максимальной, поскольку обработка информации происходит в режиме реального времени.
Источник: mobiledevice
|
