Компания Samsung Electronics заявила о начале массового производства первых в отрасли маломощных (low-power) микросхем DDR3-памяти емкостью 4 Гбит, выпускаемых с использованием техпроцесса 40-нм класса. Samsung выпустила свои первые DDR3-чипы 40-нм класса в июле прошлого года. Их емкость составляла 2 Гбит.
С использованием новых 4-Гбит микросхем производители могут создавать более экономичные модули памяти емкостью 16 Гб. По сравнению с 16-Гб решениями на базе более старых чипов, новинки позволяют сэкономить до 35% электроэнергии. По мнению Samsung, её новая память будет востребована сборщиками серверных систем, которые хотят, чтобы их продукты соответствовали требованиям последней версии спецификации Energy Star.
Максимальная емкость модуля памяти DDR3, созданного на основе новых микросхем, достигает 32 Гб. Также 4-Гбит чипы позволяют проектировать низкопрофильные SO-DIMM модули для ноутбуков емкостью до 8 Гб. Таким образом, модели с четырьмя гнёздами SO-DIMM можно оснастить до 32 Гб памяти.
4-Гбит чипы поддерживают работу при напряжениях питания 1,35 и 1,5 В. В настоящее время уже доступны 16- и 32-Гб модули RDIMM и 8-Гб модули SO-DIMM. Производительность новых решений составляет 1,6 Гбит/с.
Источник: 3dnews
|
