На мощностях компании Samsung, расположенной в Южной Корее, началось производство модулей памяти стандарта DDR3 плотностью 4Гбит, в котором задействованы нормы 40-нанометрового технического процесса. Уже сейчас эти модули начинают устанавливать на планки оперативной памяти форм-факторов DIMM DDR3 и SO-DIMM DDR3 емкостью 16/32 и 8 гигабайт соответственно. На фото приведен пример готовых к использованию планок с новыми модулями.
Плотность модулей памяти по сравнению с ранее представленными модификациями увеличилась ровно вдвое, с 2-х Гбит до 4-х. Разработчики отметили, что при этом возросла их энергоэффективность. Они сравнили планку памяти DDR3 емкостью 16 Гб с плотностью 2 Гбит и аналогичную, но оборудованную модулями 4 Гбит. Разница в уровне потреблении энергии составила 35 процентов, причем отнюдь не в пользу более ранней модификации. Новые 40-нанометровые чипы памяти DDR3 от компании Samsung будут использоваться в современных ноутбуках класса люкс, а также в серверах и, быть может, в дата-центрах.
Источник: hwp
|
