Samsung Electronics объявила, что Xilinx выбрала ее в качестве партнера по производству микросхем на основе 28-нанометрового технологического процесса с использованием металлических затворов с высокой диэлектрической проницаемостью (HKMG).
Используемый подразделением Samsung Electronics по производству полупроводников (Samsung Foundry) передовой техпроцесс 28 нм дает Xilinx возможность предлагать программируемые базовые матричные микросхемы (FPGA) нового поколения, которые обеспечивают 50-процентное снижение энергопотребления в сравнении с устройствами, созданными по технологическим нормам 45 нм.
Кроме того, по сравнению с технологиями предыдущего поколения, HKMG позволяет повысить производительность транзисторов, уменьшить их размеры и снизить энергопотребление. Основанная на подходе «приоритет затвора» технология Samsung Foundry дает возможность преодолеть конструктивные ограничения и удвоить количество транзисторов в микросхеме SRAM сравнительно с 40-нанометровым процессом.
Источник: itware.com.ua
|
