Компания Hewlett-Packard рассказала о своих последних достижениях в сфере создания мемристоров - нового типа энергонезависимой памяти. Устройства на основе мемристоров могут в скором времени заменить флеш-память.
Ученые компании Hewlett-Packard сегодня, 8 апреля, продемонстрируют свои новые достижения в сфере разработки нового типа энергонезависимой памяти - мемристоров. Впервые теорию мемристоров создал профессор Калифорнийского универсиета Леон Чуа (Leon Chua) еще в 1971 г., однако первый работающий образец удалось создать только через 37 лет - в 2008 г. - в калифорнийской лаборатории Hewlett-Packard.
По словам экспертов, мемристоры намного проще, чем распространенные сегодня полупроводниковые транзисторы. Они могут хранить информацию даже при отсутствии электрического тока, и могут использоваться как для обработки, так и для хранения данных.
Согласно отчету в издании Nature, мемристоры работают по принципу нейронов в человеческом мозге. Первый лабораторный образец мемристора, созданный в лаборатории Hewlett-Packard группой исследователей, которыми руководил Стэн Уильямс (Stan Williams), работает за счет химических превращений в двухслойной пленке двуокиси титана. Один из слоев пленки обеднен кислородом, и кислородные дырки мигрируют между слоями под действием приложенного к устройству электрического напряжения. Это позволяет использовать его в качестве ячейки памяти.
Исследователи считают, что в скором будущем мемристоры заменят транзисторы. В частности, их планируется применять в качестве замены современной флеш-памяти и оперативной памяти.
Как отметил ранее Леон Чуа, изобретатель мемристоров, системы на базе данных элементов будут функционировать сходно с биологическим мозгом. «Наши мозги созданы из мемристоров. Теперь у нас есть элементы для создания искусственного мозга», - сказал Чуа.
По словам Стэна Уильямса, за два года, прошедшие со дня создания первого образца мемристоров, его команда существенно продвинулась в использовании данных элементов, добившись увеличения скорости их работы, теперь сравнимой с кремниевыми транзисторами, сообщает CNet.
Также ученые провели успешное тестирование мемристоров в своей лаборатории, доказав, что они могут надежно хранить больше объемы информации. «Мы не только считаем, что в течение следующих трех лет сможем стать лучше, чем конкуренты. Мы думаем, что у технологии мемристоров есть потенциал для развития в течение очень долгого времени, и эта технологии очень важна», - сказал Уильямс.
Эксперт Hewlett-Packard считает, что уже через три года компания сможет представить реального конкурента флеш-памяти на основе технологии мемристоров. Она будет как минимум в два раза превосходить флеш по объему памяти на квадратный сантиметр.
Источник: CNews
|
