Корейская Hynix Semiconductors, второй крупнейший мировой производитель чипов памяти, сегодня сообщила о разработке новых образцов графической памяти, созданной по 30-нанометровому технологическому процессу. В Hynix надеются, что новые модули будут востребованы среди производителей и компания сможет повысить свою рыночную долю.
Сегодня компания заявила о выпуске первых в мире 4-гигабитных модулей динамической DRAM-памяти формата DDR3 использующих 30-нм технологический процесс. Новые чипы предназначены для продуктов верхнего ценового сегмента и ориентированы на использование в среде серверов и настольных компьютеров. В заявлении производителя говорится, что новые чипы позволяют передавать данные на 70% быстрее в сравнении с 40-нм.
Начало массового производства Hynix запланировала на первый квартал 2011 года, тогда как заказчики смогут получить готовую продукцию примерно к весне 2011 года.
По словам представителей компании, переход с 50-40 нм чипов на 30-40 нм чипы позволяет производителю также снизить и собственные издержки на выпуск модулей памяти.
Источник: CyberSecurity
|
