Японский разработчик микросхем памяти DRAM, компания Elpida Memory официально объявила о разработке 2-Гбит чипа DDR3 SDRAM (код EDJ2104BFSE / EDJ2108BFSE), изготовленного в соответствии с требованиями норм 25-нм техпроцесса.
Переход на использование новых технологических норм позволил создать самый маленький в индустрии чип SDRAM указанной емкости за счет снижения площади однобитной ячейки памяти на 30% в сравнении с образцами 30-нм класса. Выход готовых чипов с одной пластины также увеличился на треть.
Новые микросхемы отличаются от предшественников и улучшенными показателями энергопотребления: в рабочем состоянии потребление электроэнергии снижено на 15%, а в режиме простоя – на 20% по сравнению с чипами предыдущего поколения. Также полученные образцы смогут работать на частотах более 1866 МГц при напряжении 1,5 В, а решения, рассчитанные на работу с напряжением питания 1,35 В, по словам производителя, легко преодолевают рубеж в 1600 МГц.
Старт массового производства 25-нм чипов DDR3 SDRAM емкостью 2 Гбит намечен на июль текущего года, а образцы вдвое большего объема встанут на конвейер ближе концу года. Приятным дополнением является тот факт, что чипы, произведенные по 25-нм нормам не будут дороже решений предыдущего поколения: переход на более совершенный техпроцесс был осуществлен с минимальными финансовыми затратами.
Источник: www.3dnews.ru
|
