Как известно, Intel собирается в следующем году представить свои первые чипы с Tri-Gate транзисторами, которые позволяют на 37 % увеличить производительность по сравнению с планарными 32-нм структурами, уменьшив при этом энергопотребление на значение до 50%. Компания в мае сообщила, что массовое производство чипов с такими транзисторами начнётся в конце 2011 года.
Сообщается, что крупнейшая контрактная полупроводниковая кузница мира, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), может начать производство первых чипов с применением подобной технологии к концу 2011 года, что потенциально позволит компании первой представить на рынке 3D-чипы.
В сообщении Совета по развитию внешней торговли Тайваня (TAITRA), ссылающегося на анонимный источник, указывается, что TSMC собирается выпустить 3D-чипы, дабы не отставать от Intel, мирового лидера по производству процессоров.
Хотя по сообщению TAITRA компания TSMC может обогнать Intel в производственной гонке создания первых 3D-чипов, применяемые компаниями технологии на деле сильно отличаются. TSMC и прочие производители уже несколько лет разрабатывают технологию чипов с 3D-соединениями, называемую Through Silicon Vias (TSV) — вертикальные соединения на кристалле для связи различных слоёв чипа внутри одной упаковки. Технология Intel подразумевает совершенно иное, 3D-транзисторы.
По данным TAITRA, 3D-технология позволяет увеличить плотность транзисторов на значение до 1000 раз. 3D-чипы, как ожидается, будут потреблять на 50% меньше энергии. Благодаря новой технологии можно будет преодолеть ряд трудностей традиционных планарных структур, которые могут перемещать электроны только в двух измерениях.
В сообщении TAITRA также приведены слова старшего вице-президента по исследованиям и разработке в TSMC Шанг-Уи Чанга (Shang-Yi Chiang), в которых отмечается, что TSMC тесно сотрудничает с различными компаниями в области внедрения технологии 3D-чипов.
Источник: www.3dnews.ru
|
