Японский разработчик модулей памяти DRAM компания Elpida Memory объявила о завершении разработки 4-Гбит микросхемы памяти DDR3, изготовленной в соответствии с нормативами 25-нм техпроцесса. Созданный чип памяти позиционируется как самый миниатюрный в данной категории.
Новая модель отличается от предыдущей версии, изготовленной по нормам 30-нм техпроцесса, более низким энергопотреблением. По сравнению с модулями предыдущего поколения новый чип требует на 25-30% меньше энергии в рабочем режиме и экономнее предшественников на 30-50% в режиме ожидания.
Частота функционирования новинки равна 1866 МГц при возможном напряжении в 1,35 В или 1,5 В. Появление рабочих образцов и начало массового производства 4-Гбит микросхемы памяти DDR3 намечено на конец этого года.
Источник: 3dnews.ru
|
