Крупнейший в мире производитель памяти DRAM, компания Samsung Electronics сообщила, что ожидает завершения стандартизации решений на основе технологии многоуровневой памяти HMC к концу 2012 году, затем она приступит к производству такой продукции. HMC должна разрушить ограничения, которые не позволяют достаточно задействовать мощности многоядерных процессоров.
«Мы ожидаем, что консорциум завершит индустриальные спецификации HMC к концу 2012 года — это будет первая стадия. В течение года или двух после этого на рынок должны выйти первые HMC-продукты, которые станут альтернативой DRAM для применения в высокопроизводительных компьютерах и сетевых решениях», — отметил Джим Эллиот (Jim Elliott), вице-президент Samsung в Америке по маркетингу памяти.
Как известно, HMC в 15 раз превосходит DDR3 по скорости, потребляет на 70% меньше энергии и занимает на 90% меньше пространства на печатной плате благодаря своей многослойной архитектуре, межкремниевым соединениям и новому высокоэффективному интерфейсу со скоростью передачи на уровне 1 Тбит/с.
Данный тип памяти был разработан совместно Intel и Micron и демонстрировался в сентябре на Форуме разработчиков Intel. В октябре Micron и Samsung создали открытый консорциум, к которому уже присоединились Altera, Open-Silicon и Xilinx, для объединения усилий по стандартизации и продвижению нового типа памяти. Участники консорциума надеются первыми представить на рынке готовые решения на базе HMC.
Источник: 3dnews.ru
|
