Компании Toshiba и SanDisk сегодня объявили о том, что планируют начать массовое производство чипов NAND-памяти на базе технологий менее 30-нм во второй половине 2010 года. Тогда же партнеры намерены выпустить первые чипы памяти, созданные по 20-нанометровой технологии. По словам представителей компаний, подобные разработки должны обладать емкостью, которая в 2-4 раза превышает показатели современных чипов памяти и SSD-накопителей.
Руководитель совместного предприятия Toshiba и SanDisk IM Flash Technology, расположенного в префектуре Миэ в Японии, говорит, что в месяц они будут выпускать примерно по 200 000 кремниевых подложек для дальнейшего производства памяти.
Компания Toshiba недавно начала производство 32-нанометровой памяти, способной сохранять до 3 бит информации в каждую ячейку. В компании рассказывают, что изначально это производство планировалось наладить к концу 2009 года, однако Toshiba успевает сделать это раньше срока. Сейчас в компании говорят, что примерно 50% производственных мощностей будет отдано именно под создание данного типа памяти.
Отметим, что конкурирующий тандем из компаний Intel и Micron Technology намерен представить первую память, созданную по технологической норме менее 30 нанометров уже в конце этого года. Корейская Samsung Electronics также предпринимает шаги для обновления производства, так производитель сейчас занят модернизацией своего производства в США, где компания будет использовать 8-дюймовые подложки для чипов памяти. Toshiba сейчас применяет 12-дюймовые подложки.
Источник: CyberSecurity
|
