Компания Fujitsu объявила о разработке новой технологии флеш-памяти, что позволит производить память типа NOR со значительно улучшенными скоростями выборки информации, чем могут реализовать сегодняшние образцы. Кроме того, для работы такой памяти потребуется меньше энергии.
Сообщается, что новый модуль гарантирует 100 000 циклов записи-стирания данных. При этом показатель скоростей выборки улучшается в два с половиной раза по сравнению с существующими технологиями Fujitsu и достигает 10 наносекунд, а энергопотребление в пересчете на ячейку снижается на две трети до 9 микроампер.
Используя проприетарную технологию под названием FCRAM (fast-cycle random-access memory), разработанную специалистами Fujitsu, новый макрос может быть реализован в микроконтроллерах, которыми оснащается встраиваемая флеш-память в промышленной и автомобильной сфере, а также в устройствах потребительской электроники.
Источник: Ferra
|
