Корейская Samsung Electronics сегодня сообщила о начале производства первых в мире чипов памяти для мобильных телефонов, созданных в соответствии со стандартом PRAM. В компании говорят, что пока технология PRAM достаточно молода, но в будущем она имеет все шансы стать новым стандартом для мобильных устройств самого широкого профиля.
В Samsung говорят, что представленные сегодня 512-мегабайтные модули Phase-Change RAM-памяти значительно быстрее, чем используемые на сегодня NOR-чипы мобильных устройств. В Samsung говорят, что доступные на сегодня PRAM-чипы представляют собой пробные образцы и в промышленном масштабе их производство пока не началось.
В заявлении Samsung также говорится, что новые чипы имеют ускоренную производительность при записи и считывании мультимедийных данных. По прогнозу корейской компании, в этом году рынок PRAM-памяти составит всего 10 млн долларов, но уже к 2013 году он вырастет до 550 млн долларов.
Новые чипы обладают рекордной скоростью работы, как сообщают в Samsung, 512-мегабайтный чип может стирать до 64 000 логических слов за 80 миллисекунд, что в 10 раз быстрее, чем NOR-память. Записывается информация здесь сегментами, максимальный размер которого составляет 5 мегабайт, причем скорость записи у PRAM также в 8 раз быстрее, чем у NOR.
Инженеры говорят, что PRAM является более современным форматом в сравнении в флеш-памятью формата NOR, вместе с тем, в компании подчеркивают, что сферы применения данных разновидностей памяти будут различаться. Новинка обладает расширенным ресурсом, позволяющим гарантировать более 100 миллионов циклов записи, причем память будет энергонезависимой и расчетное время продолжительности хранения данных превышает 10 лет.
В компании отмечают, что свои разработки в области новой памяти также ведут Intel, Hitachi и IBM и все эти компании позиционируют PRAM-память как универсальное решение, идущее на смену NOR.
Специалисты говорят, что на сегодня самой быстрой компьютерной памятью является DDR-пямять, используемая в качестве ОЗУ компьютеров и серверов, время ее доступа к данным составляет около 3 нс. Большинство образцов флеш-памяти, используемой в фотоаппаратах, плеерах и прочих устройствах, имеет время доступа 50-90 нс. Разработки PRAM на сегодня имеют время доступа 20 нс, что конечно же не так быстро как DDR, однако у этих исследований еще большой резерв. И в Intel замечают, что если PRAM-память достигнет скорости DDR, то компьютеры уже ближайшего будущего не будут обладать жестким диском и оперативной памятью - эти устройства заменит единый модуль.
Источник: CyberSecurity
|
