Одной из новинок, представленных в рамках IDF 2011, стала совместная разработка Intel и Micron Technology под названием Hybrid Memory Cube (HMC). Данная технология имеет непосредственное отношение к оперативной "многослойной" памяти Stacked DRAM и позволяет заметно повысить ее эффективность, что особенно важно в свете постоянно растущей производительности центральных процессоров.
Не секрет, что пропускная способность памяти всегда была слабым местом компьютерных систем, препятствующим росту их быстродействия. Для решения этой проблемы испробованы различные методики и подходы, в частности, сейчас ведутся разговоры о внедрении в IT индустрию памяти типа DDR4, о разработке которой мы уже писали.
Однако даже в этом случае частота оперативной памяти (а значит, и ее быстродействие) не может расти бесконечно. При этом технология Hybrid Memory Cube, как полагают ее авторы, позволяет за счет ухищрений на уровне логики значительно увеличить КПД памяти. К примеру, созданный специалистами Intel и Micron прототип способен обеспечить скорость обмена информацией на уровне до 1 Тбит/с, а энергоэффективность такой памяти в семь раз выше по сравнению с лучшими нынешними образцами DDR3.
Источник: Ferra
|
