Навигация

Популярные статьи

Авторские и переводные статьи

Пресс-релизы

Регистрация на сайте


Опрос
Какие телеканалы вы смотрите чаще?







Память с фазовым переходом: новый прорыв


13 мая 2012 | IT-новости / На русском языке / Мир | Добавил: Kravtsova Olga
Компьютерная память на основе фазового перехода, разработки вокруг которой ведутся уже три десятилетия, вновь показалась на горизонте.

Исследователи из Университета Джонса Хопкинса приложили при особых условиях высокое давление к элементам, используемым в памяти с фазовым переходом, дабы изменить ее полезные характеристики. Итогом станут системы хранения данных с внушительной емкостью, которые смогут не только эксплуатироваться дольше, но работать быстрее, нежели нынешние оптические, флеш- и магнитные носители.

Память с фазовым переходом (phase-change memory, PCM, PRAM) опирается на халькогенид, стеклянное вещество, содержащее посеребренные полупроводники, такие как германий, сурьма и теллур. Искомые полупроводники обладают свойством менять собственное физическое состояние, выраженное упорядочиванием атомов, из кристаллического в аморфное путем приложения небольшой порции тепла. А так как у этих двух состояний характеристики электросопротивления различны — кристаллическая фаза с большим сопротивлением (логическая единица) и аморфная с малым сопротивлением (логический ноль) — и могут быть легко измерены, халькогениды выступают идеальным материалом для хранения данных. Существующие образцы могут находиться даже в четырех отдельных состояниях, что позволяет хранить в одной ячейке сразу два разряда. Похожие халькогенидные материалы благодаря меняющемуся коэффициенту преломления используются в традиционных перезаписываемых оптических дисках CD-RW и DVD-RW.

Ученые выяснили, что приложение давления посредством алмазов в ходе производства памяти с фазовым переходом изменит свойства носителя, замедляя время перехода из аморфного состоянии в кристаллическое, что положительно скажется на способах фиксации нужного логического разряда. При этом удалось сформировать и другие состояния — частично кристаллические, что позволит хранить больше данных при той же плотности.

Вообще всё идет к тому, что флеш-накопители уступят место памяти с фазовым переходом, тем более нынешние ее прототипы в сто раз быстрее и в 50 раз долговечнее.

Источник: Сотовик
Комментарии (0) | Распечатать | | Добавить в закладки:  

Другие новости по теме:


 



Телепрограммы для газет и сайтов.
25-ть лет стабильной работы: телепрограммы, анонсы, сканворды, кроссворды, головоломки, гороскопы, подборки новостей и другие дополнительные материалы. Качественная работа с 1997 года. Разумная цена.

Форум

Фоторепортажи

Авторская музыка

Погода

Афиша

Кастинги и контакты ТВ шоу

On-line TV

Партнеры

Друзья

Реклама

Статистика
Главная страница  |  Регистрация  |  Добавить новость Copyright © 2002-2012 Все о ТВ и телекоммуникациях. Все права защищены.