IBM сообщила о прорыве в области «кремниевой нанофотоники». Данная технология позволяет совмещать в чипах оптические компоненты с кремниевыми. Суть прорыва заключается в том, что исследователям впервые удалось создать такой чип на коммерческом оборудовании.
«Прорыв стал результатам более чем десятилетней работы IBM, - заявил старший вице-президент и директор IBM Research Джон Келли (John Kelly). - Теперь мы можем переместить данную технологию из стен лабораторий на заводы и приступить к выпуску новых микросхем, которые найдут применение в различных областях».
За основу был взял чип, разработанный в 2010 г. Тогда ученые сообщили, что им удалось сконструировать микросхему, в которой используется пульсация света для передачи информации вместо обычного электрического тока. Это позволяет значительно повысить скорость обработки информации.
Добавив к стандартной линии по производству полупроводников несколько недорогих дополнительных машин, ученые смогли выпустить гибридную микросхему, основанную на передаче электрического тока и света.
Модицифированная производственная линия позволила интегрировать в микросхему такие оптически элементы, как мультипликаторы с разделением по длинам волн, модуляторы и детекторы - все необходимое для передачи информации с помощью света.
Для этого была использована существующая линия по производству микросхем на базе технологии широкого применения КМОП (комплементарная логика на транзисторах типа металл-оксид-полупроводник), с использованием 90-нм технологической нормы.
90-нм норма была выбрана за свою относительную дешевизну и способность удовлетворить потребности в ближайшее десятилетие, объяснил доктор Юрий Власов, руководитель проекта Silicon Nanophotonics Project в IBM Research. Он пояснил, что использовать меньшую технологическую норму для построения оптических элементов пока не имеет смысла.
«Огромные объемы данных передаются по вычислительным сетям предприятий, и эти объемы продолжают неуклонно возрастать в связи с появлением новых приложений и услуг, - прокомментировали в IBM. - Готовые к производству чипы на основе кремниевой фотоники помогут справиться с возрастающими требованиями к скорости передачи данных и мощности компьютеров».
Согласно данным IBM, чипы на основе кремниевой нанофотоники способны обеспечивать скорость передачи данных свыше 25 Гбит/с на канал. А использование мультипликаторов позволяет передачать несколько потоков данных по одному волокну. Возможность мультиплексирования в будущем позволит осуществлять передачу терабайтов данных между удаленными друг от друга вычислительными системами.
Доклад, посвященный новому прорыву, ученые планируют представить в рамках конференции IEEE International Electron Devices Meeting, которая пройдет с 10 по 12 декабря в Сан-Франциско.
Источник: CNews
|
