Компания Micron Technology объявила об удачном завершении процесса разработки 128 Гб чипа флеш-памяти с самой высокой плотностью размещения транзисторов. Площадь поверхности у него составляет 146 кв. мм, и изготавливаются чипы по 20 нм технологическому процессу на основе технологии трёхуровневых ячеек. По заявлению его создателей, чип при размере в 12х12 мм примерно на четверть меньше аналогичных 20 нм решений на основе MLC (multi-level cell)-технологии.
Чем же отличается трёхуровневая структура (TLC) от одноуровневых (SLC) и многоуровневых аналогов? Все они состоят из одинаковых транзисторов, но хранят разное число битов в одной ячейке: SLC – один, MLC – два, а TLC - три. В результате растёт прочность хранения информации, однако, и минусы присутствуют. К ним относятся уменьшение продолжительности жизненного цикла памяти и увеличение задержек при чтении, записи и стирании данных.
Разработчики позиционируют свои новые чипы как оптимальные варианты для применения в составе таких устройств, как флеш-карты и USB-диски, не покушаясь пока на рынок твердотельных накопителей. На долю рынка переносимых портативных устройств хранения данных, по прогнозам, в этом году придётся до 35% поставок чипов памяти NAND, так что борьба за него ожидается нешуточная. Сейчас Micron осуществляет поставки новых чипов своим основным партнёрам, а начало промышленного производства намечено на второй квартал года.
Между тем, другие производители времени даром не теряют, и используют чипы на технологии TLC в своих продуктах. Samsung, например, в прошлом году представила SSD серии Samsung 840, отличающиеся высокими скоростями чтения и записи данных.
Источник: OsZone
|
