Калифорнийский стартап Crossbar объявил о разработке чипов энергонезависимой памяти площадью 200 мм2 (меньше почтовой марки), которые способны вместить 1 ТБ информации.
В основе изобретения лежит разновидность резистивной памяти с произвольным доступом (Resistive Random Access Memory - RRAM), разработанная инженерами Crossbar. Ячейки памяти Crossbar состоят из трех элементов: нижнего неметаллического электрода, промежуточного слоя из аморфного кремния и верхнего металлического электрода.
При подаче на ячейку электрического тока между электродами возникает напряжение, которое создает в промежуточном слое нити низкой проводимости, превращая его в проводник. Таким образом ячейка меняет свое состояние. Чтобы восстановить прежнее состояние материала и переключить ячейку обратно, производится повторная подача тока с другой полярностью.
Проприетарная технология Crossbar имеет ряд преимуществ, рассказали в компании. Одно из них заключается в отсутствии необходимости создавать между электродами ячейки высокое напряжение для переключения ее состояния.
Для того чтобы достичь высокой плотности хранения данных, инженеры предложили размещать слои ячеек RRAM друг над другом. В компании не уточнили, какое максимальное число слоев позволяет накладывать их технология.
Помимо увеличенной плотности, как утверждают в Crossbar, новая память предлагает в 20 раз более высокую скорость записи по сравнению с флэш-памятью NAND, в 10 раз больший срок службы по сравнению с NAND и «надежность, приближающуюся к памяти DRAM».
Предполагается, что новая память, обладающая низким потреблением энергии, найдет применение в смартфонах и планшетах, SSD-накопителях, надеваемой электронике и других устройствах.
«Девяносто процентов данных, которые мы храним сегодня, были созданы в последние 2 года. Появление новых данных и мгновенный доступ к ним становятся неотъемлемыми атрибутами современной жизни, что продолжает порождать спрос на накопители информации. В то же время планарная флэш-память близка к своему пределу в плане миниатюризации. Новый тип энергонезависимой памяти, включая память, разработанную компанией Crossbar, позволит решить эту проблему, предложив необходимые емкость и производительность и в конце-концов станет заменой флэш-памяти», - прокомментировал Майкл Янг (Michael Yang), старший аналитик IHS по памяти и системам хранения данных.
В Crossbar создали первый коммерческий образец чипа и планируют приступить к серийному производству. Сроки не уточняются.
Напомним, что на днях компания Samsung Electronics сообщила о начале массового производства первых чипов памяти, в которых ячейки размещены в 3D-структуре.
Источник: CNews
|
