Известный контрактный производитель полупроводниковых устройств, компания TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) анонсировала передовой 16-нм техпроцесс. По её заявлению, эта технология будет использоваться для пробного выпуска небольшой партии чипов уже к концу текущего года.
Такое заявление было сделано в ходе конференции International Electron Device Meeting (IEDM) 2013, прошедшей с 9 по 11 декабря в Вашингтоне. 16-нм технология разработана для создания «систем на чипе» (SoC), которые могут использоваться в мобильных устройствах и другой компактной электронике. Среди главных особенностей технологии отмечается так называемый трёхмерный транзистор FinFET, впервые используемый компанией TSMC. По сравнению с 28-нм технологией, плотность размещения транзисторов увеличена в два раза. При этом быстродействие транзисторов увеличивается на 35% при сохранении той же потребляемой мощности, или остаётся на том же уровне при сокращении энергопотребления на 55%.
На основе 16-нм технологии TSMC уже выпустила прототип 128-Мбит SRAM-памяти, так называемый кольцевой генератор, пробный образец чипа с использованием ядра ARM Cortex-A57. 16-нм техпроцесс использует технологию металлических межсоединений BEOL (back end of line), которая также применяется в 20-нм техпроцессе. Но главным отличием является использование FinFET-транзисторов вместо традиционных плоских.
Генеральный директор TSMC Марк Лью (Mark Liu) заявил о намерении начать массовое производство по 16-нм технологии уже в 2014 году. Напомним, ранее компания планировала внедрить 16-нм техпроцесс не ранее 2015 года.
Источник: 3DNews
|
