Появилась новая информация относительно будущих мобильных процессоров Intel Broadwell и в каких модификациях они будут выпускаться. Ранее уже было известно о том, что первые 14 нм процессоры будут разделены на линейки Y, U, H, одинарные и двойные чипы. Разница между ними довольна запутана. К одинарным чипам относятся процессоры с интегрированными GPU, чипы линеек Y, U и частично H с чипсетами PCH-LP, к двухчиповым – ряд процессоров серии H с чипсетами серий 8 и 9. Broadwell получат поддержку технологий Hyper-threading, Turbo Boost 2.0, наборов команд AES, AVX2 и TSX на архитектуре x86 (x86-64).
Процессоры серии H будут обладать кешем L3 объёмом 6 Мб, ряд из них получит встроенную графику GTE3 с памятью типа eDRAM на отдельной микросхеме внутри чипа (за счёт чего они и названы двухчиповыми). Графика будет основана на архитектуре 8-го поколения и получит на 20% больше исполнительных блоков, чем в Haswell, а именно 48. Будут поддерживаться технологии DirectX 11.2, Open GL 4.2, CL 1.2/2, Quick Sync, Clear Video и аппаратное декодирование SVC и VP8.
В состав чипов будут интегрированы регулятор напряжения и энергопотребления, позволяющие увеличить число доступных режимов энергопотребления. Ничего не говорится о поддержки памяти DDR4, зато упоминается память LPDDR-1600 (в моделях Y), DDR3L и DDR3L-RS в серии H, и все вышеназванные типы памяти в серии U. Представлены также технологии Boot Guard, PTT 2.0 с защитой от вредоносного кода, набор команд RDSEED и криптографическое шифрование на низком уровне.
Одночиповые процессоры обладают технологией Smart Sound, повышающей эффективность ускорения обработки аудио, поддерживают возможность голосового пробуждения ПК и распознавания при помощи микрофона. Одночиповые модели будут поддерживать стандарт PCI-E 2.0, двухчиповые модели H - 16 линий PCIe 3.0. Минимальный уровень SDP мобильных Broadwell составит 2,8 Вт, TDP варьируется в диапазоне 4,5-47 Вт.
Источник: OsZone
|