Корпорация Toshiba объявила о начале массового производства флеш-памяти BENAND (Built-in ECC NAND) ёмкостью 8 Гбайт, изготавливающейся по 24-нанометровой (2xnm) технологии.
Изделия используют одноуровневые ячейки (SLC) и имеют встроенный 8-разрядный механизм коррекции ошибок (ECC). Для облегчения перехода в новом модуле BENAND такие элементы, как размер страницы/блока, размер резервной области, команды, интерфейс и корпус, соответствуют устаревшим модулям 4xnm SLC NAND.
Toshiba подчёркивает, что традиционно механизм коррекции ошибок встраивался в главные контроллеры, что делало переход на более новые и дешёвые модули NAND дорогостоящей и времяёмкой задачей, так как для обеспечения требуемого уровня коррекции ошибок приходилось менять главный процессор.
Представленные изделия BENAND изменяют эту парадигму благодаря перемещению механизма коррекции ошибок непосредственно в микросхему памяти. Такой подход освобождает главный процессор от нагрузки, связанной с коррекцией ошибок, и позволяет использовать устаревшие контроллеры с новейшей технологией NAND.
Модули BENAND объёмом 8 Гбайт доступны в корпусах TSOP и BGA. Чипы рассчитаны на широкий спектр устройств: это бытовая электроника, мультимедийные гаджеты, интеллектуальные измерительные приборы, промышленное оборудование и пр.
Источник: 3DNews
|
