IBM накануне продемонстрировала самый мощный из графеновых транзисторов, существующих на сегодняшний день. Транзистор может менять состояние до 155 млрд раз в секунду, что на 50% быстрее предыдущего транзистора, также созданного в IBM.
Ю-Минь Линь, инженер IBM, говорит, что в феврале прошлого года компания создала графеновый транзистор с частотой в 100 Гигагерц, новая разработка более чем вполовину быстрее. Более того, Линь говорит, что при создании 155-гигагерцевого транзистора были использованы новые технологические процессы, позволяющие снизить стоимость производства транзисторов в случае массового выпуска. В IBM намерены в будущем начать выпуск графеновых чипов на базе новых технологий, однако конкретные даты начала производства пока неизвестны.
В компании говорят, что коммерческие графеновые транзисторы должны обеспечить очень значительный прирост производительности, а кроме того они очень хорошо подойдут для использования в беспроводной электронике, сетевых устройствах и графических электронных устройствах, таких как фотоаппараты, камеры или сканеры.
155-гигагерцевый транзистор был создан IBM в рамках сотрудничества с американским оборонным агентством передовых научных разработок DARPA. Изначально цель этого проекта заключалась в создании новых высокоскоростных процессоров для радиопередатчиков. По словам представителей DARPA, агентство почти сразу заинтересовалось графеновыми транзисторами, когда те появились.
"Движение электронов в графеновых транзисторов более быстрое, нежели в традиционных кремниевых решениях, однако нынешние технологии не позволяют идеально оптимизировать транзисторы из графена для персональных компьютеров. Из-за отсутствия энергетической щели в природном графене, сложно реализовать цифровые такты, поэтому для обработки дискретных цифровых сигналов пока лучше применяются обыкновенные процессоры", - говорит Линь.
В то же время он отметил, что графеновые чипы лучше подходят для обработки аналоговых сигналов - высокая скорость электронов графена позволяет ускорять обработку непрерывных сигналов.
По данным IBM, сейчас в компании разработана технология работы графеновых транзисторов при температуре от плюс 25 до минус 268 градусов. В основе производства графеновых чипов у IBM лежит новая технология "алмазоподобных углеродных подложек".
Графеновые транзисторы IBM на сегодняшний день могут иметь длину затвора от 550 до 40 мн, против 240 нм в прошлом поколении транзисторов. В прошлом поколение для производства применялся карбид кремния. "Но что еще более важно, так это то, что технологический процесс производства сейчас стал совместим между кремниевыми и графеновыми транзисторами", - говорит исследователь IBM.
Источник: CyberSecurity
|
